时间：2025/12/29 12:12:44
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CHF8838CNF500L 是一款由华润微电子（China Resources Microelectronics）推出的高性能、高可靠性的N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅（Trench Gate）技术，具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于各类高效率电源管理系统和功率控制应用。CHF8838CNF500L 通常采用DFN5x6封装形式，具有良好的散热性能和紧凑的尺寸，适合在空间受限的设计中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：100V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：160A（@25℃）
导通电阻(Rds(on))：小于2.2mΩ（@Vgs=10V）
工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
封装形式：DFN5x6
CHF8838CNF500L 采用了先进的沟槽栅技术，使得器件具备非常低的导通电阻，从而降低了导通损耗，提高了系统效率。该MOSFET在高频开关应用中表现出色，能够有效减少开关过程中的能量损失，适用于如DC-DC转换器、同步整流、负载开关和电机控制等对效率和性能要求较高的场合。
此外，CHF8838CNF500L 的DFN5x6封装不仅体积小巧，还具备良好的散热性能，能够有效地将工作过程中产生的热量快速导出，从而提升器件的稳定性和可靠性。其高耐压特性（Vds=100V）使其在高压应用中具备更强的适应能力。
CHF8838CNF500L 广泛应用于多个领域，包括但不限于：服务器电源、通信电源、工业自动化设备、新能源汽车电子、电池管理系统（BMS）、电动工具、电动自行车、光伏逆变器、DC-DC转换器、负载开关控制、电机驱动等。由于其高电流能力和低导通电阻，特别适用于高功率密度和高效率要求的电源设计中。此外，该器件也可用于高频开关电路，以提升整体系统的能效表现。
SiR182DP-T1-GE3, IPB013N10N3 G, STD180N10F7AG
