工作频率范围：DC ~ 40 GHz
　　小信号增益：≥ 38 dB
　　增益平坦度：±1.5 dB
　　输出P1dB（压缩点）：≥ 26 dBm
　　饱和输出功率（Psat）：≥ 28 dBm
　　输入驻波比（VSWR）：≤ 2.0:1
　　输出驻波比（VSWR）：≤ 2.0:1
　　工作电压（Vdd）：+5 V
　　静态工作电流（Idq）：典型值 320 mA
　　调制带宽：支持高达数GHz的瞬时带宽
　　封装形式：QFN（Quad Flat No-leads）
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　存储温度范围：-65°C ~ +150°C

CHA6252-QFG采用先进的GaAs pHEMT工艺技术，确保其在宽频范围内实现高效能的射频放大性能。该芯片的关键优势之一是其极宽的工作频率范围，可从直流连续扩展至40 GHz，使其适用于多种宽带系统架构，无需频繁更换不同频段的专用放大器模块。这种宽带兼容性极大地提升了系统设计的灵活性，并减少了库存管理成本。在增益表现方面，CHA6252-QFG提供超过38 dB的小信号增益，且在整个频段内增益波动控制在±1.5 dB以内，保证了信号传输的一致性和稳定性。这对于需要高保真放大的测试仪器和雷达前端尤为重要。
　　该器件的输出功率能力出色，P1dB可达26 dBm以上，饱和输出功率达到28 dBm，能够在高负载条件下持续输出强劲的射频信号。同时，其良好的线性度和低谐波失真特性有助于维持调制信号的完整性，适用于高阶调制格式如64-QAM甚至256-QAM的应用场景。芯片内部已集成输入与输出阻抗匹配网络，显著降低外部匹配元件的需求，缩短开发周期并提升产品一致性。此外，其QFN封装不仅体积小巧，还具备优良的散热性能，确保长时间高功率运行下的可靠性。
　　CHA6252-QFG具有较低的直流功耗，典型工作电流为320 mA（@ +5 V），在同类高性能宽带放大器中具备较高的能效比。它支持单电源供电，简化了电源设计。该芯片还具备良好的ESD防护能力和抗干扰性能，适应复杂电磁环境下的部署。综合来看，CHA6252-QFG凭借其宽带宽、高增益、高输出功率及集成化设计，成为微波通信、毫米波雷达、宽带中继和高速数据链路等领域的理想选择。

CHA6252-QFG广泛应用于需要宽带射频放大的高性能系统中。典型用途包括宽带通信系统中的驱动级或末级功率放大，例如在点对点微波回传、卫星通信地球站以及毫米波无线接入网络中作为关键信号增强单元。由于其高达40 GHz的频率覆盖能力，该芯片特别适用于E-band（71–76 GHz与81–86 GHz）系统的本振链路或上变频/下变频通道中的宽带缓冲放大器。此外，在测试与测量设备领域，如矢量网络分析仪（VNA）、信号发生器和频谱仪中，CHA6252-QFG可用于构建宽带激励源或接收机前端放大模块，提升仪器动态范围与测量精度。
　　在国防与航空航天领域，该芯片被用于相控阵雷达、电子对抗（ECM）系统和无人机数据链，因其能够在宽频带内快速响应并放大瞬态信号，满足现代电子战对敏捷性和多频段操作的需求。同时，其高可靠性和宽温工作能力也使其适用于机载、舰载及野外移动平台。在科研领域，CHA6252-QFG可用于太赫兹系统前端、超高速数字通信实验平台以及光载无线（RoF）系统中的射频功率提升环节。随着5G毫米波和未来6G通信技术的发展，该类宽带放大器将在基站射频模块、毫米波波束成形网络中发挥重要作用。总之，CHA6252-QFG凭借其卓越的宽带性能和稳定的输出特性，已成为现代高频电子系统中不可或缺的核心元器件之一。

CGHV-6252-QFG