类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：6A
　　导通电阻（Rds(on)）：18mΩ @ Vgs=4.5V
　　导通电阻（Rds(on)）：21mΩ @ Vgs=2.5V
　　功率耗散（Pd）：2W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：TSMT4（双排扁平无引脚封装）

CGR0218ZSQ MOSFET 具备多项优良特性，使其在多种电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。在 Vgs=4.5V 时，Rds(on) 仅为 18mΩ，而在较低的栅极电压（如 2.5V）下，Rds(on) 也仅为 21mΩ，这表明其在低电压驱动条件下依然保持良好的性能。
　　其次，该器件的漏源电压为 20V，连续漏极电流可达 6A，能够支持较高功率的应用需求。同时，其最大栅源电压为 ±12V，确保了在不同工作条件下栅极控制的稳定性和可靠性。
　　此外，CGR0218ZSQ 采用 TSMT4 封装，具有较小的封装尺寸和良好的热管理能力。这种封装方式不仅节省空间，还便于在高密度 PCB 设计中使用。其 2W 的功率耗散能力使得在较高负载下仍能保持稳定的运行温度。
　　该器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适应性强，适用于各种恶劣环境条件下的应用。同时，其内部结构设计优化了开关性能，减少了开关损耗，提高了整体效率。

CGR0218ZSQ MOSFET 主要用于需要高效能、小尺寸和高可靠性的应用场合。在电源管理系统中，它可用于 DC-DC 转换器、电池管理系统和负载开关，提供高效的能量传输和控制。在电机控制方面，该器件可用于小型电机驱动电路，支持精确的速度和扭矩控制。
　　此外，CGR0218ZSQ 也常用于便携式电子设备中的功率管理电路，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。由于其小型封装和高效能特性，它能够有效降低功耗并延长电池寿命。
　　在工业自动化和控制系统中，CGR0218ZSQ 可用于传感器接口电路、继电器驱动电路和小型执行器控制电路，提供可靠的开关性能。同时，它也适用于 LED 照明系统的调光和开关控制，实现高效的光输出管理。

Si2302DS, AO4406, FDS6675, BSS138K