时间：2025/8/15 10:05:56
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CGR0118ZSB是一款由Rohm公司生产的N沟道功率MOSFET，适用于需要高效率和高可靠性的应用场合。这款MOSFET具有低导通电阻、高电流容量和优异的热稳定性，适合用于DC-DC转换器、电源管理和电机驱动等应用。CGR0118ZSB采用紧凑的表面贴装封装，便于在有限空间内进行安装和散热。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：18A
最大漏极-源极电压：20V
导通电阻（Rds(on)）：0.018Ω（最大值）
栅极阈值电压：1.0V至2.5V
功耗：2.5W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOP（表面贴装）
CGR0118ZSB的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高整体效率。此外，该MOSFET支持高达18A的漏极电流，能够在高负载条件下稳定工作。CGR0118ZSB还具备良好的热管理能力，能够在高温环境下保持稳定性能，减少因过热导致的系统故障。由于采用了SOP封装，CGR0118ZSB具有较小的体积和较轻的重量，非常适合用于高密度电路设计。此外，其栅极驱动电压范围较宽，允许使用多种驱动电路，提高了设计的灵活性。在电气性能方面，CGR0118ZSB具备快速开关特性，能够有效减少开关损耗并提高系统的响应速度。该MOSFET还具有较强的抗干扰能力，能够适应复杂的电磁环境。
CGR0118ZSB广泛应用于电源管理系统，例如DC-DC转换器、负载开关和电池充电电路。它也常用于电机驱动器、LED驱动器和工业自动化设备中的高电流开关电路。此外，CGR0118ZSB还可以用于汽车电子系统，如车载电源管理系统和LED照明驱动电路。
CGR0118ZSB的替代型号包括Rohm的CGR0118ZS和CGR0118ZS1，以及ON Semiconductor的NTMFS4C10N和Infineon的BSC018N04LC。
