CGHV96050F2 时间：2025/12/28 16:21:40 阅读：15

CGHV96050F2是一款由Cree（现为Wolfspeed）设计的高功率氮化镓（GaN）射频功率晶体管，适用于高频和高功率应用。该器件基于GaN技术，具有卓越的功率密度和高效率，广泛应用于通信设备、雷达、测试仪器和其他需要高线性度和高可靠性的系统中。

参数

类型：氮化镓（GaN）射频功率晶体管
　　频率范围：960MHz - 1215MHz
　　输出功率：50W（典型值）
　　漏极电压：28V
　　漏极电流：1.2A（脉冲）
　　增益：12dB（典型值）
　　效率：60%以上
　　输入驻波比（VSWR）：<2:1
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：表面贴装（SMT）
　　封装尺寸：具体尺寸请参考数据手册

特性

CGHV96050F2具有多项卓越的电气和热性能。首先，该器件采用先进的GaN on SiC（碳化硅上氮化镓）工艺制造，提供了优异的热导率和可靠性，使其能够在高温环境下稳定工作。
　　其次，CGHV96050F2在960MHz至1215MHz频率范围内提供高达50W的连续波（CW）输出功率，非常适合用于L波段和S波段的射频功率放大应用。
　　此外，该晶体管具有高功率附加效率（PAE），通常超过60%，这有助于减少功耗并提高整体系统效率。对于需要高线性度的应用，如数字通信系统，CGHV96050F2也表现出色，支持多种调制格式。
　　输入和输出匹配网络已经集成在芯片内部，减少了外部元件的需求，从而简化了设计和布局。该器件的输入VSWR较低，通常小于2:1，确保了良好的信号传输性能。
　　从封装角度来看，CGHV96050F2采用表面贴装技术（SMT）封装，便于自动化装配并提高生产效率。其紧凑的设计也适用于空间受限的应用场景。
　　最后，CGHV96050F2具有宽工作温度范围（-55°C至+150°C），适应各种严苛环境条件，适用于军事、航空航天以及工业级应用。

应用

CGHV96050F2广泛应用于多个高性能射频系统中。首先，在通信领域，该器件被用作基站和中继器的射频功率放大器，特别是在LTE、5G和其他宽带无线通信标准中，提供高效率和高线性度的放大功能。
　　其次，CGHV96050F2常用于测试和测量设备，如信号发生器、频谱分析仪和功率放大器模块，为射频测试提供稳定可靠的输出功率。
　　此外，该晶体管适用于雷达和电子战系统，尤其是在需要高功率和高频率响应的军用雷达和导航系统中。其高可靠性和耐高温特性使其成为航空航天应用的理想选择。
　　在广播和电视发射系统中，CGHV96050F2可用于UHF和VHF频段的发射机，提供高输出功率和稳定的性能。
　　此外，该器件还可用于工业加热、医疗成像设备以及科研仪器中的射频功率源，满足多种高要求的应用场景。