CGHV40200PP 时间：2025/12/28 16:29:44 阅读：17

CGHV40200PP 是由 Cree（现为 Wolfspeed）生产的一款高功率射频横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）晶体管，专门用于射频功率放大应用。该器件基于氮化镓（GaN）技术，提供了高效率、高增益和优异的热管理性能，广泛应用于通信基础设施、工业加热、医疗设备以及广播系统等高功率射频场合。

参数

类型：射频功率LDMOS晶体管
　　技术：氮化镓（GaN）
　　最大漏极电流（Id）：200 A
　　最大漏源电压（Vds）：40 V
　　工作频率范围：DC至4 GHz
　　输出功率：200 W（典型值）
　　增益：>20 dB（典型值）
　　效率：>65%（典型值）
　　封装类型：陶瓷金属封装（PP）
　　热阻（Rth）：0.15°C/W
　　存储温度范围：-65°C至+150°C
　　工作温度范围：-40°C至+150°C

特性

CGHV40200PP 具备多项先进特性，首先，它采用氮化镓（GaN）技术，相比传统的LDMOS和双极型晶体管，具有更高的电子迁移率，从而实现更高的工作频率和更高的功率密度。其次，该器件在4GHz以下频率范围内能够提供高达200W的输出功率，适用于多种射频功率放大场景。
　　其高增益特性（超过20dB）和高效率（超过65%）使得该晶体管在通信系统中能有效减少散热需求并提高能源利用率。此外，CGHV40200PP采用陶瓷金属封装（PP），具有优异的热管理和机械稳定性，适用于高可靠性应用场景。
　　

应用

CGHV40200PP 主要用于高性能射频功率放大器的设计，适用于多种工业和通信领域。典型应用包括蜂窝基站（如4G LTE和5G）、广播发射机、测试设备、医疗射频治疗设备、工业加热系统以及雷达和电子战系统等。
　　由于其高效率和高功率输出特性，该晶体管在基站通信中可显著提升发射效率，降低运营成本。在广播系统中，它能够提供稳定的高功率输出以驱动大功率发射天线。在工业和医疗领域，CGHV40200PP可用于射频能量传输系统，实现高效能量转换和控制。
　　此外，该器件也适用于研发和测试环境中的高功率射频信号发生器，满足工程师对高功率、高频率信号放大的需求。