类型：射频功率MOSFET
　　技术：碳化硅（SiC）
　　频率范围：DC至2700 MHz
　　输出功率：200 W（典型值）
　　漏源电压（Vds）：650 V
　　栅源电压（Vgs）：±15 V
　　工作电流：1.5 A（连续漏极电流）
　　封装类型：TO-247
　　增益：15 dB（典型值）
　　效率：超过70%
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

CGHV27200F/P 是一款基于碳化硅材料的射频功率晶体管，相较于传统硅基LDMOS器件，它具备更高的热导率和更强的耐高温能力，从而实现更高的功率密度和更优的效率表现。
　　该器件的650 V漏源电压能力使其适用于高电压工作环境，同时具备优异的线性度和稳定性能，适用于多载波和宽带应用。其高击穿电压特性也显著提高了器件的可靠性和寿命。
　　CGHV27200F/P支持从直流到2700 MHz的宽频率范围，适用于多种射频放大应用，包括D类、E类等高效率开关放大器以及AB类线性放大器。其15 dB的典型增益和超过70%的效率使得该器件在高频高功率应用中表现出色。
　　此外，该晶体管采用TO-247封装，便于散热和集成，适合在高功率密度设计中使用。其±15 V的栅源电压范围提供了更大的控制灵活性，同时也增强了器件的抗干扰能力和稳定性。
　　在热管理方面，由于碳化硅材料的优异导热性能，该器件在高温环境下仍能保持良好的性能表现，减少了对复杂冷却系统的需求，有助于简化系统设计并提高整体可靠性。

CGHV27200F/P 主要应用于需要高功率、高效率和高稳定性的射频系统中，例如：广播发射机（如FM和TV发射器）、无线基站、工业加热设备、射频测试仪器、医疗射频设备、雷达和通信系统中的高功率放大器模块等。
　　该器件的宽频率覆盖能力（DC至2700 MHz）使其适用于多种通信标准，包括蜂窝通信（如4G LTE和5G）、Wi-Fi 6E、CBRS等新兴无线技术。其高效率和高输出功率特性特别适合用于基站功率放大器设计，有助于提升系统能效并降低运营成本。
　　此外，CGHV27200F/P 还适用于工业和科学领域的射频能量应用，如等离子体生成、射频感应加热和超声波清洗等。其优异的热性能和高可靠性也使其成为航空航天和军事设备中的理想选择。

CGHV27100F/P, CGHV27150F, CGHV27250F/P