器件类型：射频功率LDMOS晶体管
　　制造商：Cree / Wolfspeed
　　频率范围：2.0GHz - 2.2GHz
　　输出功率：200W（典型）
　　漏极电压：28V
　　增益：约18dB（典型）
　　效率：约35%（典型）
　　封装类型：陶瓷金属封装
　　输入驻波比（VSWR）：<2.0:1
　　工作温度范围：-40°C至+150°C

CGHV22200F/P射频功率晶体管具备多项先进特性。首先，其LDMOS架构提供了出色的线性度和高效率，使其成为现代通信系统中理想的放大器解决方案。其次，该晶体管支持从2GHz到2.2GHz的宽频率范围，可应用于多种无线通信标准，如W-CDMA、LTE等。此外，该器件采用陶瓷金属封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，确保在高功率条件下长时间稳定运行。
　　另外，CGHV22200F/P在28V的工作电压下可提供高达200W的输出功率，具备较高的增益（约18dB），并且输入驻波比低于2:1，保证了良好的信号传输匹配性。该晶体管还具备良好的热稳定性和可靠性，适用于高要求的工业和通信应用环境。
　　最后，该器件在设计上优化了热管理和封装结构，使得其在高功率密度条件下仍能保持较低的工作温度，从而提高了整体系统的可靠性和寿命。

CGHV22200F/P广泛应用于2GHz至2.2GHz频段的射频功率放大器设计，特别是在蜂窝基站、W-CDMA/LTE基站、广播发射器和工业加热设备等领域。该晶体管适用于需要高功率输出、高线性和高效率的无线通信基础设施，同时也可用于科研和测试设备中的射频放大模块。由于其良好的热稳定性和高可靠性，该器件在高要求的工业和通信系统中得到了广泛认可。

CGHV22200F