CGHV14250F 时间：2025/9/11 7:45:58 阅读：6

CGHV14250F 是一款由 Cree（现为 Wolfspeed）制造的高功率射频（RF）横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）晶体管，专为高频率和高功率应用设计。该器件基于氮化镓（GaN）技术，能够在1.8 GHz至2.7 GHz的频率范围内高效工作，适用于蜂窝基站、雷达、广播和工业加热等多种射频功率放大应用。CGHV14250F 提供了卓越的功率密度、高效率和良好的热稳定性，使其成为许多高功率射频系统的首选晶体管。

参数

工作频率：1.8 GHz - 2.7 GHz
　　输出功率：250 W（典型值）
　　增益：>18 dB
　　效率：>65%
　　工作电压：28 V
　　输入驻波比（VSWR）：<2.5:1
　　封装类型：Flanged Package
　　热阻（RθJC）：0.18°C/W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

CGHV14250F 的核心优势在于其基于GaN-on-SiC（氮化镓在碳化硅上）技术的高功率密度和优异的热管理能力。这种材料组合不仅提供了更高的导热性，还减少了热阻，从而提高了器件的可靠性和寿命。其宽频率响应使其适用于多频段操作，同时在高温环境下仍能保持稳定性能。
　　此外，该晶体管具备出色的耐用性，可承受高达3:1的失配负载条件，增强了在恶劣工作环境中的稳定性。高效率和高线性度的设计使其适用于现代通信系统中对能效和信号保真度要求严格的场景。
　　CGHV14250F 采用工业级封装，具备良好的机械强度和散热性能，适合长时间高功率运行。其输入和输出匹配电路已内建，简化了外部设计，减少了外围元件需求，提高了系统集成的便利性。

应用

CGHV14250F 主要用于各种高功率射频应用，包括4G/5G蜂窝基站放大器、宽带无线接入系统、军事雷达、电子战系统、工业射频加热设备、广播发射机和测试测量设备等。其高输出功率和高效率特性使其成为高要求射频功率放大器的理想选择，特别是在需要在宽频率范围内提供稳定输出的场景中。
　　此外，该器件也适用于脉冲雷达系统，能够在短时间高功率脉冲下保持良好的性能。其高可靠性和耐久性也使其成为航空航天和国防领域中的关键组件。