CGH60008D 时间：2025/9/11 7:41:36 阅读：7

CGH60008D是一款高功率GaN（氮化镓）场效应晶体管（FET），主要用于射频（RF）功率放大器应用。该器件由Wolfspeed（前身为Cree）制造，广泛应用于通信基础设施、雷达、工业和国防领域。CGH60008D具备高功率密度、高效率和出色的热管理能力，能够在高频范围内（如L波段、S波段和C波段）运行，是许多高性能射频系统的重要组成部分。

参数

制造商: Wolfspeed (Cree)
　　晶体管类型: GaN HEMT（高电子迁移率晶体管）
　　频率范围: 1.8 GHz - 6.0 GHz
　　最大漏极电流 (Idmax): 8 A
　　最大漏源电压 (Vdsmax): 65 V
　　输出功率: 8 W（典型值）
　　增益: 20 dB（典型值）
　　效率: >70%（典型值）
　　封装类型: 陶瓷封装
　　工作温度范围: -55°C 至 +150°C

特性

CGH60008D的核心优势在于其基于GaN技术的卓越性能。氮化镓材料具有高电子迁移率和高击穿电场，使得CGH60008D能够在高电压下工作，同时保持出色的功率密度和效率。该器件在1.8 GHz至6.0 GHz的宽频率范围内具有稳定的工作性能，适用于多频段或多用途射频系统。
　　此外，CGH60008D具备优异的热管理和可靠性，能够在恶劣环境条件下稳定运行。其陶瓷封装设计不仅提供了良好的热传导性能，还增强了机械稳定性和抗环境干扰能力，适合在工业和国防应用中使用。
　　在电气特性方面，CGH60008D的最大漏极电流为8A，漏源电压可达65V，输出功率可达8W，具有高达20dB的增益和超过70%的效率。这些特性使其在射频功率放大器中表现出色，尤其是在需要高线性度和高稳定性的应用中。

应用

CGH60008D广泛应用于各种高性能射频系统中，包括无线基础设施（如基站）、雷达系统、测试与测量设备、工业加热设备以及军事和航空航天通信系统。由于其在高频段的出色表现，CGH60008D常用于L波段、S波段和C波段的发射机和功率放大器模块。此外，该器件也适用于需要高可靠性和高耐久性的工业应用，如射频能量应用和高功率无线传输系统。