类型：氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）
　　封装：螺栓型金属封装
　　最大漏极电压（Vds）：65V
　　工作频率：2.7GHz（典型应用频率）
　　输出功率：8W
　　增益：20dB（典型）
　　效率：60%以上（典型）
　　输入驻波比（VSWR）：2.5:1（最大）
　　热阻（Rth）：2.5°C/W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

CGH60008D-GP4具备多项先进的技术特性。首先，它基于GaN-on-SiC技术，提供了卓越的功率密度和效率，同时具备良好的热导率，使得器件能够在高温环境下稳定工作。
　　其次，该晶体管设计用于在2.7GHz左右的高频段工作，非常适合蜂窝通信、WiMAX、广播和测试设备等应用场景。其典型的输出功率为8W，增益可达20dB，且具有较高的功率附加效率（PAE），确保了系统在高负载条件下的能效表现。
　　此外，CGH60008D-GP4具有出色的耐用性和可靠性，能够在极端温度条件下（-55°C至+150°C）正常工作，满足工业级和商业级应用的需求。该器件的封装设计便于安装和散热，适用于高功率密度的设计要求，例如在基站和雷达系统中使用。
　　该晶体管还具备良好的线性度，使其在需要高信号完整性的通信系统中表现出色。同时，其较高的输入和输出阻抗匹配能力降低了外围电路设计的复杂性，提高了整体系统的稳定性。

CGH60008D-GP4广泛应用于多个高频和高功率场景。在通信领域，该器件被广泛用于蜂窝基站、WiMAX基站和广播设备中的射频功率放大器模块。由于其高效率和高线性度的特性，非常适合用于需要高数据传输速率和低延迟的现代通信系统。
　　此外，该晶体管也适用于测试和测量设备，如信号发生器和频谱分析仪，能够提供稳定和高精度的射频输出。在军事和航空航天领域，CGH60008D-GP4也被用于雷达系统和电子战设备，其高可靠性和耐极端环境的能力使其在这些关键任务应用中表现优异。
　　在工业自动化和无线基础设施中，该器件也常用于高功率射频发生器，支持等离子体处理、医疗设备和无线充电系统等应用。其优异的热管理和高功率密度使其在紧凑型设计中具有显著优势。

CGH60015D, CGH27015F, CGH40010F