时间：2025/12/28 16:20:56
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CGH40180PP是一款由Cree（现为Wolfspeed）生产的高功率射频（RF）横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）晶体管，专为高功率、高频率应用而设计。该器件基于氮化镓（GaN）技术，具有卓越的功率密度、高效率和良好的热稳定性，广泛用于工业射频加热、医疗设备、无线基础设施和雷达系统等领域。
类型：射频功率晶体管
技术：GaN（氮化镓）
最大漏极电流（Id）：180 A
工作频率范围：DC至4 GHz
输出功率：典型值1800 W（在2.1 GHz）
增益：约22 dB（典型值）
效率：超过70%
封装类型：金属陶瓷封装
热阻（Rth）：0.15°C/W（典型值）
CGH40180PP采用先进的GaN-on-SiC工艺制造，具有优异的高频性能和高热导率，能够在高温环境下稳定运行。其高击穿电压和低导通损耗使其适用于高功率放大器设计。此外，该器件具备出色的耐用性和抗失真能力，支持在宽频率范围内保持稳定的输出功率。由于其高集成度和小尺寸设计，CGH40180PP可以有效减少电路板空间占用并简化系统设计。
该器件主要用于射频功率放大器，包括广播发射机、工业加热设备、医学成像仪器、测试与测量设备以及军用雷达和通信系统。其高功率处理能力和优异的效率使其成为高性能射频系统中不可或缺的组件。
CGH40180F2, CGH40180, CGH40180F2B
