时间：2025/12/28 16:21:08
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CGH40045F 是 Cree（现为 Wolfspeed）生产的一款高功率射频（RF）横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）晶体管，专为高频率和高功率应用设计。该器件采用先进的碳化硅（SiC）基板技术，具有出色的热性能和高效率。CGH40045F 主要用于射频功率放大器设计，适用于无线基础设施、广播系统、测试设备和工业应用。该器件采用紧凑的表面贴装封装，适合高频操作。
器件类型：LDMOS 射频功率晶体管
频率范围：DC - 4 GHz
输出功率（Pout）：45 W
漏极电压（Vds）：28 V
栅极电压（Vgs）：-3.5 V @ 25°C
输入阻抗：50 Ω
输出阻抗：50 Ω
增益：> 20 dB @ 2.7 GHz
效率：> 60% @ 2.7 GHz
工作温度范围：-65°C 至 +150°C
封装类型：Surface Mount
尺寸：11.45 mm x 8.25 mm x 1.35 mm
CGH40045F 是一款高性能射频功率晶体管，具有多种优势和特性。首先，它基于 Cree 的 GaN（氮化镓）在 SiC（碳化硅）基板上的技术，这使得器件在高频下具有优异的性能和出色的热管理能力。SiC 基板具有高热导率，能够有效散热，从而提高器件的可靠性和寿命。
其次，该晶体管工作频率高达 4 GHz，适用于多种高频射频应用。其高输出功率（45 W）使其成为射频功率放大器的理想选择，特别是在需要高线性度和高效率的应用中。例如，在无线基础设施中，CGH40045F 可以用于基站放大器，提供稳定的高功率输出。
CGH40045F 适用于多种射频和微波应用，特别是在需要高功率和高频率性能的场景中。常见的应用包括无线基础设施中的基站功率放大器、广播系统的射频放大器、测试设备中的信号发生器和放大器，以及工业和医疗设备中的射频能量应用。
CGH40025F, CGH40010F, CGH21010F, CGH27015F
