时间：2025/12/28 16:21:17
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CGH40006P 是 Cree（科锐）公司生产的一款高功率射频氮化镓（GaN）晶体管，适用于射频功率放大器应用。该晶体管基于GaN技术，具有高效率、高功率密度和优异的热稳定性，适用于通信、广播、测试设备等高频高功率场景。CGH40006P 是一款增强型射频晶体管，采用符合行业标准的封装形式，便于在射频系统中进行集成。
类型：射频功率晶体管
晶体管技术：氮化镓（GaN）
最大漏极电流（ID）：25 A
最大漏极电压（VD）：50 V
最大输出功率：600 W（在典型工作频率下）
增益：14 dB（典型值）
效率：65% 以上（典型值）
工作频率范围：1.8 MHz 到 6000 MHz
封装类型：符合行业标准的金属陶瓷封装
热阻（Rth）：0.18°C/W
存储温度范围：-65°C 至 +150°C
CGH40006P 氮化镓晶体管采用了先进的GaN on SiC（碳化硅上氮化镓）技术，使其在高频应用中具有优异的性能表现。其高功率密度和高效率特性，使得射频功率放大器的设计更加紧凑和节能。晶体管的输入和输出阻抗匹配良好，有助于减少外部匹配元件的数量，降低设计复杂度和系统成本。此外，CGH40006P 具有出色的热管理能力，能够承受较高的工作温度，提高了器件在高功率条件下的稳定性和可靠性。
该晶体管支持从HF（高频）到UHF（超高频）的广泛频率范围，适用于多频段和宽带射频放大器的设计。其增强型特性使得在偏置电压设置时更加灵活，能够适应不同的工作条件，包括连续波（CW）和脉冲工作模式。由于GaN材料的优势，CGH40006P 在高频率下仍能保持良好的线性度和稳定性，适合用于高要求的通信系统和测试仪器。
CGH40006P 主要应用于射频功率放大器设计中，广泛用于通信基础设施、广播发射机、工业加热设备、射频测试设备以及国防和航空航天等领域的高功率射频系统。其宽频带特性和高效率使其成为多频段和宽带放大器的理想选择，同时也适用于数字广播、短波通信、射频能量传输等多种应用场景。
CGH40010P, CGH40025P
