时间：2025/12/28 16:27:32
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CGH35240 是 Cree（现为 Wolfspeed）生产的一款高功率 GaN（氮化镓）射频功率晶体管，适用于高频和高功率应用。该器件基于 GaN-on-SiC（氮化镓在碳化硅上）技术，具备高效率、高功率密度和出色的热稳定性，适用于无线基础设施、广播、工业加热和医疗设备等高要求领域。
类型：GaN射频功率晶体管
工艺技术：GaN-on-SiC
频率范围：典型应用在1.8 GHz至2.4 GHz之间
输出功率：240 W（典型值）
漏极效率：超过70%
增益：约12 dB（典型）
工作电压：典型Vds为28 V
封装形式：陶瓷金属封装（如：TO-270）
CGH35240 具备卓越的射频性能和可靠性。其高功率密度使其能够在有限的空间内实现高输出功率，非常适合用于高密度功率放大器设计。GaN-on-SiC 材料组合提供了良好的导热性，有助于降低热阻并提高器件的长期稳定性。
此外，该晶体管具备宽带操作能力，支持多种通信标准，如LTE、WiMAX等。其高效率特性有助于减少功耗，提高系统整体能效，并减少散热需求，从而降低整体系统成本。
CGH35240 还具有良好的线性度和失真特性，适用于需要高信号保真度的应用。器件设计优化以支持脉冲操作，使其适用于雷达和测试设备等需要高峰值功率的应用场景。
CGH35240 常用于无线通信基站（如4G LTE和5G前传系统）、广播发射机、工业与医疗射频能量应用、测试与测量设备以及军用雷达和电子战系统。由于其高频和高功率特性，也广泛应用于宽带和多频段放大器设计中。
CGH35120, CGH40010, CGH40025
