晶体管类型：GaN HEMT
　　频率范围：DC-4GHz
　　输出功率：60W
　　工作电压：50V
　　输入电压范围：50V
　　封装类型：螺栓型陶瓷封装
　　输入/输出阻抗：50Ω
　　工作温度范围：-55°C至+225°C

CGH35060F 是一款高性能射频功率晶体管，基于 GaN-on-SiC 技术制造，具有优异的功率密度和高能效特性。其高工作电压（50V）设计使其在相同输出功率下比传统LDMOS晶体管具有更高的效率和更小的尺寸。GaN技术带来的高电子迁移率（HEMT）特性使其能够在高频率下工作，适用于高达4GHz的射频应用。
　　该晶体管在连续波（CW）模式下可提供高达60W的输出功率，在脉冲模式下性能更加优越。其宽频带特性使其适用于多种射频放大器设计，包括宽带和窄带应用。此外，CGH35060F 具有良好的热传导性能，SiC基板提供了优异的热稳定性，使得器件能够在高温环境下稳定工作。这大大提高了器件的可靠性和使用寿命，适合高可靠性要求的应用场景。
　　CGH35060F 采用螺栓型陶瓷封装，便于安装和散热，适用于需要高功率密度和良好热管理的射频放大器设计。该器件在设计时考虑了易用性，具有标准的50Ω输入/输出阻抗，可以直接与射频系统匹配，减少外围电路的复杂度。

CGH35060F 广泛应用于射频功率放大器系统，包括但不限于通信基站、广播发射机、工业射频加热设备、医疗射频治疗设备、雷达系统和测试测量仪器。由于其高功率密度和高效率特性，特别适合用于设计高效、紧凑的射频功率放大器模块。
　　在通信领域，CGH35060F 可用于4G/5G基站的功率放大器模块，提供高线性度和高效率的信号放大。在广播行业，该器件适用于FM/TV发射机的射频功率放大，提供稳定可靠的输出功率。在工业应用中，CGH35060F 可用于射频能量系统，如等离子体发生器和材料处理设备。在医疗领域，该器件可用于射频消融设备和治疗仪器的功率放大模块。此外，在测试测量设备中，CGH35060F 可作为高功率射频信号源的核心组件。

CGH40010F, CGH60050F, LDMOS晶体管如BLF188XR