时间：2025/9/11 7:37:50
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CGH27030S 是一款由Cree（现为Wolfspeed）制造的高功率氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），专为射频（RF）功率放大应用而设计。该器件采用了先进的GaN on SiC（氮化镓在碳化硅基板上）技术，提供了高效率、高功率密度和出色的热性能，适用于从UHF到微波频段的多种射频应用。
工作频率：DC至4 GHz
输出功率：典型30 W（在2.7 GHz下）
漏极电压：最大65 V
漏极电流：最大120 mA（静态）
增益：典型22 dB（在2.7 GHz）
效率：典型65%（在2.7 GHz，AB类操作）
封装类型：陶瓷双列直插封装（DIP），带金属散热底座
输入/输出阻抗：50Ω匹配（典型值）
工作温度范围：-55°C至+150°C
CGH27030S 采用GaN on SiC技术，具备出色的高频性能和热导率，能够在高温环境下稳定运行。其高击穿电压和低导通电阻特性使得该器件在高功率应用中表现出色，同时具有较高的能量转换效率，减少了散热需求。此外，该晶体管的内部输入匹配网络优化了在2.7 GHz频段的性能，减少了外部元件的需求，简化了设计流程。其高线性度和低失真特性使其非常适合用于通信系统中的高功率放大器设计。
CGH27030S 还具备良好的抗失真能力和高稳定性，适用于多载波和宽带应用。其封装设计提供了良好的射频接地和热管理性能，确保在高功率条件下的长期可靠性。该器件还具备出色的抗静电放电（ESD）能力和较高的可靠性，适用于工业级和军事级应用环境。
CGH27030S 主要用于无线通信基础设施，如蜂窝基站、微波通信系统、军事雷达和测试设备中的高功率射频放大器设计。它也适用于工业加热、医疗射频设备以及广播系统中的高功率放大环节。该器件的高效率和高功率密度特性使其成为4G/5G基站、软件定义无线电（SDR）平台以及宽带通信系统中理想的功率放大器解决方案。此外，其宽频率范围和良好的线性度也使其适用于多频段和多标准通信设备的设计。
CGH27015S, CGH40010F, CGH40025F
