CGH09120F 时间：2025/12/28 16:22:16 阅读：8

CGH09120F是一款由Cree（现为Wolfspeed）生产的高功率GaN（氮化镓）高电子迁移率晶体管（HEMT），广泛应用于射频（RF）功率放大器领域，如通信基站、雷达系统和工业加热设备。该器件采用了先进的氮化镓技术，具有高效率、高功率密度和出色的热稳定性，适合在高频和高功率环境下工作。

参数

类型：GaN HEMT射频功率晶体管
　　工作频率：DC至4GHz
　　漏极电流（ID）：120A
　　漏源电压（VDS）：900V
　　输出功率（Pout）：典型值1200W（在2.1GHz）
　　增益：典型值15dB（在2.1GHz）
　　效率：典型值超过70%
　　封装类型：陶瓷金属封装（Flanged Package）

特性

CGH09120F具备高功率密度，能够在相对较小的封装中提供极高的输出功率，适用于空间受限的应用场景。
　　其高击穿电压特性（900V VDS）确保了在高电压工作环境下的稳定性和可靠性。
　　该器件的高效率设计减少了热量的产生，降低了对散热系统的要求，从而提高了整体系统的能效。
　　此外，CGH09120F具有良好的线性度和失真性能，适用于需要高信号保真的通信应用。
　　氮化镓材料的使用赋予该晶体管优异的高频响应能力，支持在高达4GHz的频率范围内运行。
　　陶瓷金属封装不仅提供了良好的热管理能力，还增强了机械强度和环境适应性，适用于苛刻的工业和军事环境。

应用

CGH09120F广泛应用于各种高功率射频系统，包括蜂窝基站放大器（如4G LTE和5G NR基站）、雷达发射机、医疗射频设备以及工业加热和等离子体发生装置。
　　在通信基础设施中，该器件用于构建高效能的射频功率放大器模块，支持高数据速率和长距离传输。
　　在军事和航空航天领域，CGH09120F可用于雷达系统和电子战设备，提供高可靠性和高功率输出。
　　此外，该器件也适用于广播和测试测量设备，作为高功率射频信号源。