CGGP.25.4.E.02是一种基于硅技术的高压功率MOSFET芯片,专为高效率、高频率开关应用设计。该器件采用先进的沟槽式结构和场效应屏蔽技术,具有低导通电阻和优秀的开关性能,适合于各种电源转换和电机驱动场景。
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds):1200V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):25A
导通电阻(Rds(on)):80mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
总功耗(Ptot):350W
结温范围(Tj):-55°C 至 +175°C
封装形式:裸片
CGGP.25.4.E.02具备卓越的电气特性和可靠性,主要特点如下:
1. 低导通电阻:在高电流条件下显著降低功耗。
2. 快速开关能力:优化的栅极电荷设计使器件能够实现高频操作。
3. 热稳定性强:采用耐高温材料,可在极端温度环境下稳定工作。
4. 高击穿电压:支持高达1200V的工作电压,适用于高压系统。
5. 小型化设计:以裸片形式提供,便于集成到紧凑型模块中。
6. 优异的dv/dt耐受性:减少了开关噪声并提高了系统的抗干扰能力。
该芯片广泛应用于多个领域,包括但不限于以下:
1. 开关电源(SMPS):如AC-DC适配器、工业电源等。
2. 电机驱动:用于电动车、家用电器等领域的高效电机控制。
3. 太阳能逆变器:作为关键功率开关元件,提升能量转换效率。
4. 不间断电源(UPS):确保电力供应的可靠性和稳定性。
5. 电池管理系统(BMS):在电动汽车和其他储能系统中发挥重要作用。
CGGP.25.4.E.03, CGGP.30.4.E.02