CGA9N3X7S2A106M230KE 是一款高性能的 NAND Flash 存储芯片,主要用于需要大容量数据存储的应用场景。该芯片采用先进的制程工艺制造,具备高可靠性和低功耗的特点,广泛应用于消费电子、工业设备以及嵌入式系统中。
容量:128Gb
接口类型:Toggle Mode 2.0
工作电压Vcc:1.8V ± 0.1V
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装形式:BGA
I/O耐压:3.6V
页大小:16KB
块大小:1024KB
擦写次数:3000次
CGA9N3X7S2A106M230KE 具有以下主要特性:
1. 高密度存储能力,单颗芯片即可提供大容量存储空间。
2. 支持高速读写操作,能够满足实时数据处理的需求。
3. 先进的 ECC(错误校正码)机制确保数据的完整性与可靠性。
4. 内置坏块管理功能,优化存储性能并延长使用寿命。
5. 支持多种命令集和协议,便于与不同主控芯片兼容。
6. 超低功耗设计,适合对能效要求较高的应用环境。
7. 工作温度范围宽广,适用于各种恶劣环境下的使用需求。
CGA9N3X7S2A106M230KE 广泛应用于以下领域:
1. 智能手机和平板电脑等移动设备的数据存储。
2. 固态硬盘(SSD)和其他嵌入式存储解决方案。
3. 工业自动化控制系统的数据记录与保存。
4. 车载娱乐系统及导航设备的大容量存储。
5. 网络通信设备中的固件存储与升级。
6. 医疗设备中的患者数据存储与管理。
CGA9N3X7S2A106M220KE
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