时间：2025/6/4 2:48:09
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CGA9N3X7S2A106K230KE 是一款由东芝（Toshiba）生产的沟道MOSFET功率晶体管。该型号采用D-PAK（TO-252）封装形式，广泛应用于电源管理、电机驱动、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器等领域。此器件以其低导通电阻和高效率著称，适用于需要高性能功率开关的应用场景。
该系列器件具有出色的热性能和电气性能，能够在高频和大电流条件下保持稳定运行。
类型：N沟道 MOSFET
封装：TO-252 (D-PAK)
最大漏源电压(V_DS)：60V
最大栅源电压(V_GS)：±20V
最大漏极电流(I_D)：42A
导通电阻(R_DS(on))：2.2mΩ（在 V_GS=10V 时）
总栅极电荷(Q_g)：58nC
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
CGA9N3X7S2A106K230KE 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，能够降低传导损耗，提升系统效率。
2. 较小的封装尺寸，适合空间受限的应用场合。
3. 高频工作能力，支持高效的开关应用。
4. 良好的热稳定性，确保在高温环境下长期可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代工业要求。
6. 内置反向二极管，简化电路设计并提高抗干扰能力。
该型号主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. DC-DC 转换器的核心功率元件。
3. 电机驱动控制电路中的功率开关。
4. 各类负载切换和保护电路。
5. 工业设备及消费电子中的高效功率转换方案。
其低导通电阻和高频特性使其特别适合于需要高效率和快速响应的应用场景。
TPH1802PNL, IRFZ44N, FDP5570N
