时间：2025/8/15 20:14:01
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CGA7718ZTR7是一款由Vishay Siliconix制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率电源转换和功率管理应用而设计，具有低导通电阻（RDS(on)）、高电流承载能力和快速开关特性。其封装形式为8引脚TDFN（双排扁平无引脚封装），适合在空间受限的PCB设计中使用。该MOSFET广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动器和电源管理模块等场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：18A（在25°C下）
导通电阻RDS(on)：最大10.5mΩ（在VGS=10V时）
栅极电荷Qg：33nC（典型值）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：8-TDFN
安装类型：表面贴装
CGA7718ZTR7采用先进的TrenchFET技术，提供非常低的导通电阻，从而降低功率损耗并提高系统效率。该器件的栅极驱动电压兼容标准逻辑电平（通常可由3.3V或5V驱动器控制），增强了其在不同控制电路中的适用性。
其高电流能力使其能够在高负载条件下稳定工作，适用于要求高可靠性和高效率的电源系统。此外，该MOSFET具备良好的热性能，TDFN封装有助于有效的散热管理，从而延长器件寿命并提高系统稳定性。
该MOSFET的快速开关特性减少了开关损耗，有助于在高频开关应用中实现更高的效率。其低Qg和Qgd参数也降低了驱动器的负担，从而提高了整体系统的响应速度和效率。
CGA7718ZTR7主要用于高效率电源转换和功率管理领域。典型应用包括同步整流型DC-DC转换器、负载开关电路、电池管理系统（BMS）、服务器电源、电信设备电源、电机驱动器、LED驱动器以及工业自动化和控制系统中的功率开关部分。由于其优异的热性能和紧凑的封装设计，它也非常适合用于空间受限且需要高效功率管理的便携式电子设备。
Si7410DP-T1-GE3, FDS4410A, AO4407A, NVTFS5C471NLWFTAG
