CGA7718ZSR 时间：2025/8/15 22:26:55 阅读：4

CGA7718ZSR 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、高频开关应用设计，广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等场景。CGA7718ZSR 采用 TSON 封装（热沉外露封装），具有优异的热性能和空间利用率，适用于需要紧凑布局和高散热效率的电路设计。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：6A
　　导通电阻(Rds(on))：18mΩ @ Vgs=10V
　　栅极电荷(Qg)：10nC
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装：TSON10
　　功率耗散(Pd)：3.3W

特性

CGA7718ZSR 具备多项优异特性，适用于各种高性能功率应用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）为 18mΩ，在 Vgs=10V 时可显著降低导通损耗，提高系统效率。该 MOSFET 的最大漏源电压为 30V，支持中等功率应用，例如同步整流、DC-DC 转换器和电池管理系统。
　　其次，CGA7718ZSR 采用 TSON10 封装，带有热沉结构，确保良好的散热性能，并且节省 PCB 空间，非常适合高密度电路设计。其栅极电荷（Qg）仅为 10nC，有助于降低开关损耗，提高开关频率下的效率表现。
　　此外，该器件支持宽范围的工作温度（-55°C 至 150°C），具备良好的热稳定性和可靠性，适用于工业级和汽车电子应用。其最大连续漏极电流为 6A，在适当的散热条件下可满足中等电流负载需求。CGA7718ZSR 的 ±20V 栅源电压耐受能力也增强了其在高频开关应用中的稳定性，防止因电压尖峰导致的损坏。

应用

CGA7718ZSR 主要应用于各种电源管理系统和功率转换设备中。在 DC-DC 转换器中，该 MOSFET 可作为同步整流器或主开关器件，提升转换效率并减少发热。其紧凑的 TSON 封装使其非常适合用于空间受限的便携式设备，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源模块。
　　此外，CGA7718ZSR 也可用于电机驱动和负载开关电路中，控制电机的启停和方向切换，或者作为高侧/低侧开关管理电源分配。在电池管理系统中，该器件可用于充放电路径的高效控制，延长电池使用寿命。
　　由于其良好的热性能和可靠性，CGA7718ZSR 也适用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块等。在工业自动化设备中，该 MOSFET 可用于 PLC（可编程逻辑控制器）和伺服驱动器中的功率控制部分。