CGA6P4NP02W333J250AA 是一款高性能的功率 MOSFET,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载开关等应用领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够在高频条件下提供高效的功率转换性能。
该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET,适合于需要高效能和低损耗的电路设计场景。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:250A
导通电阻:1.2mΩ
栅极电荷:95nC
总电容:2800pF
功耗:75W
工作温度范围:-55℃ 至 175℃
CGA6P4NP02W333J250AA 具有卓越的电气性能和可靠性,其主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,可显著降低传导损耗,提升系统效率。
2. 高速开关能力,支持高频操作,减少磁性元件体积。
3. 超强的浪涌电流能力,确保在瞬态条件下的稳定运行。
4. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
5. 优化的热设计,有助于提高散热性能,延长器件寿命。
6. 提供出色的 ESD 保护能力,增强抗干扰性能。
该器件适用于多种工业及消费类电子设备中的功率管理应用,具体包括:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动器中的功率级控制。
3. 工业逆变器和 UPS 系统。
4. 负载开关和电池保护电路。
5. LED 驱动器中的功率调节单元。
6. 数据通信和电信设备中的高效功率转换模块。
CGA6P4NP02W333J250AB, CGA6P4NP02W333J250AC