时间：2025/7/9 22:37:46
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CGA6P4NP02W333J250AA 是一款高性能的功率 MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载开关等应用领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够在高频条件下提供高效的功率转换性能。
该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET，适合于需要高效能和低损耗的电路设计场景。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：250A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：95nC
总电容：2800pF
功耗：75W
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
CGA6P4NP02W333J250AA 具有卓越的电气性能和可靠性，其主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，可显著降低传导损耗，提升系统效率。
2. 高速开关能力，支持高频操作，减少磁性元件体积。
3. 超强的浪涌电流能力，确保在瞬态条件下的稳定运行。
4. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
5. 优化的热设计，有助于提高散热性能，延长器件寿命。
6. 提供出色的 ESD 保护能力，增强抗干扰性能。
该器件适用于多种工业及消费类电子设备中的功率管理应用，具体包括：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动器中的功率级控制。
3. 工业逆变器和 UPS 系统。
4. 负载开关和电池保护电路。
5. LED 驱动器中的功率调节单元。
6. 数据通信和电信设备中的高效功率转换模块。
CGA6P4NP02W333J250AB, CGA6P4NP02W333J250AC
