CGA6618ZPCK-410是一款由Renesas(瑞萨电子)生产的GaAs(砷化镓)高电子迁移率晶体管(HEMT)射频场效应晶体管(FET),专为高频和高功率应用而设计。该器件采用了先进的HEMT技术,提供出色的高频性能和线性度,适用于通信系统、测试设备和工业应用中的射频放大器设计。
类型:射频场效应晶体管(RF FET)
工艺:GaAs HEMT
封装类型:表面贴装(SMD)
工作频率范围:2 GHz至18 GHz
漏极电流(ID):最大100 mA
输出功率(Pout):典型值为25 dBm(在10 GHz)
增益:典型14 dB(在10 GHz)
漏极-源极电压(VDS):最大20 V
栅极-源极电压(VGS):-2.5 V至0 V
工作温度范围:-55°C至+150°C
CGA6618ZPCK-410具有优异的高频性能和稳定性,适用于宽带射频放大应用。其GaAs HEMT技术确保了低噪声和高线性度,使其在通信和测试设备中表现优异。此外,该器件采用紧凑的表面贴装封装,便于在高频电路中进行集成。该晶体管在宽频率范围内(2 GHz至18 GHz)表现出良好的增益和输出功率特性,适合用于多频段或宽带设计。其高可靠性设计确保在严苛环境下的稳定运行,适用于军事、航空航天和高端工业应用。
该器件还具有良好的热稳定性和高效率,能够在较高功率水平下保持较低的工作温度。同时,CGA6618ZPCK-410具有良好的抗静电能力和长期稳定性,适用于高要求的射频系统设计。其输入和输出阻抗匹配良好,减少了外围匹配电路的复杂度,提高了整体设计的灵活性和可靠性。
CGA6618ZPCK-410的栅极偏置电压范围较宽,允许灵活调整工作点,以优化不同应用场景下的性能指标,如线性度、效率和输出功率。这种特性使其成为适用于多种高频放大器架构的理想选择,包括A类、AB类和B类放大器。
CGA6618ZPCK-410广泛应用于无线通信系统、雷达、测试仪器、工业控制系统和高频信号放大器设计。其主要用途包括射频功率放大器、低噪声放大器、宽带放大器和频率合成器等。此外,该晶体管也适用于卫星通信、微波通信和射频识别(RFID)系统中的高频信号处理和放大任务。
HMC414, ATF-54143, CGH40010F