时间：2025/6/30 17:43:31
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CGA5H4NP02J562J115AA 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等领域。该芯片采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著提升系统的效率和可靠性。
其设计旨在满足高电流密度和高效率应用的需求，同时提供优异的热性能和电气特性。
型号：CGA5H4NP02J562J115AA
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：650V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：30A
导通电阻(Rds(on))：2.2mΩ
功耗(PD)：175W
结温范围(Tj)：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247
CGA5H4NP02J562J115AA 具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够在大电流条件下减少功率损耗。
2. 快速的开关速度，支持高频操作，从而减小系统尺寸并提高效率。
3. 高击穿电压 (Vds)，适用于高压应用场景。
4. 内置反向恢复二极管，优化了续流路径。
5. 优异的热稳定性和鲁棒性，可承受极端工作环境。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
该芯片广泛用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和不间断电源 (UPS)。
2. 工业电机驱动和逆变器。
3. 太阳能逆变器和储能系统。
4. DC-DC 转换器和电池管理系统 (BMS)。
5. 高效照明系统如 LED 驱动电路。
6. 各类工业自动化设备中的功率控制模块。
CGA5H4NP02J562J115AB, CGA5H4NP02J562J115AC
