时间：2025/6/21 7:27:00
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CGA5H2NP02A822J115AA 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，主要应用于开关电源、电机驱动和逆变器等场景。该元器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高效率以及出色的热性能等特点，适用于需要高可靠性和高效能表现的应用环境。
这款 MOSFET 的封装形式为 DPAK，支持表面贴装技术（SMT），能够有效提高电路板的空间利用率，并降低整体系统的复杂性。
类型：MOSFET
极性：N-Channel
耐压值：60V
连续漏极电流：73A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：49nC
总电容：2200pF
工作温度范围：-55℃ to 150℃
封装形式：DPAK
CGA5H2NP02A822J115AA 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），仅为 1.2mΩ，有助于降低功率损耗并提升系统效率。
2. 高额定电流能力，最大支持 73A 的连续漏极电流，满足大功率应用场景的需求。
3. 快速开关性能，具备较小的栅极电荷和输出电荷，从而减少开关损耗。
4. 支持宽泛的工作温度范围，从 -55℃ 到 +150℃，确保在极端环境下仍能保持稳定运行。
5. 封装采用 DPAK 表面贴装设计，简化了安装流程并增强了散热性能。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中作为功率开关元件。
2. 电动工具及家用电器中的电机驱动电路。
3. 新能源汽车中的电池管理系统 (BMS) 和逆变器模块。
4. 工业自动化设备中的负载控制和功率调节。
5. 其他需要高性能功率切换和管理的场合。
CGA5H2NP02A822J115AB, CGA5H2NP02A822J115AC
