时间：2025/6/10 13:25:41
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CGA5C2C0G1H223J060AD是一款由ON Semiconductor（安森美）生产的高压MOSFET芯片，主要用于功率转换和电机驱动等应用领域。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有较低的导通电阻和高开关速度，能够在高频工作条件下保持高效性能。其封装形式为TO-247，适合于高功率密度设计。
这款MOSFET适用于工业、汽车及消费类电子设备中的多种场景，例如电源适配器、DC-DC转换器、太阳能逆变器以及电机控制器等。
型号：CGA5C2C0G1H223J060AD
类型：N-Channel MOSFET
VDS（漏源极电压）：800V
RDS(on)（导通电阻）：0.12Ω（典型值，在特定条件下）
ID（连续漏极电流）：16A
Qg（栅极电荷）：35nC
EAS（雪崩能量）：1.3J
封装：TO-247
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
CGA5C2C0G1H223J060AD具备以下主要特性：
1. 高击穿电压（800V），确保在高电压环境下稳定运行。
2. 极低的导通电阻（RDS(on)），有助于减少传导损耗并提升效率。
3. 快速开关能力，支持高频操作以适应现代电源系统的高性能需求。
4. 良好的热稳定性，可承受极端温度条件下的长期工作。
5. 强大的雪崩能量能力，提高系统在异常情况下的可靠性。
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
这些特性使其成为高压功率转换应用的理想选择。
该MOSFET广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 太阳能光伏逆变器
4. 工业电机驱动
5. 电动汽车充电桩
6. 电池管理系统（BMS）
7. 不间断电源（UPS）
由于其高耐压特性和高效的功率处理能力，CGA5C2C0G1H223J060AD特别适合需要高可靠性和高效率的电力电子应用。
CGA5C2C0G1H223K060AD, IRFP460, STW83N80
