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CGA4J1X7S1C685KT000N 发布时间 时间:2025/6/5 23:52:17 查看 阅读:9

CGA4J1X7S1C685KT000N 是一款由东芝(Toshiba)生产的高效能 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块。该模块通常应用于工业电源、变频器、电机驱动以及新能源领域,例如太阳能逆变器和电动汽车的功率转换系统。
  其设计结合了低导通损耗和开关损耗的特点,能够在高频工作条件下提供出色的效率和可靠性。此外,该模块采用紧凑型封装设计,便于散热管理并支持高电流密度的应用场景。

参数

类型:IGBT模块
  额定电压:1200V
  额定电流:600A
  封装形式:半桥结构
  芯片技术:第四代 IGBT 技术
  最高结温:175℃
  控制方式:门极驱动
  隔离等级:电气绝缘增强型

特性

CGA4J1X7S1C685KT000N 的主要特性包括:
  1. 高效的功率转换能力,能够显著降低导通和开关过程中的能量损耗。
  2. 内置快速恢复二极管(FWD),优化了反向恢复性能,从而提升了整体效率。
  3. 采用了先进的绑定线技术和陶瓷基板材料,确保模块在高温环境下的稳定性和耐用性。
  4. 具备短路保护功能,增强了系统的安全性和可靠性。
  5. 紧凑型设计降低了安装空间需求,同时改善了散热效果。

应用

该型号广泛应用于以下领域:
  1. 工业自动化设备中的变频器和伺服驱动系统。
  2. 新能源发电领域的光伏逆变器和风力发电机控制器。
  3. 电动汽车及混合动力汽车的主逆变器和充电系统。
  4. 大功率不间断电源(UPS)和电池储能系统。
  5. 焊接机、感应加热设备以及其他高功率电子装置。

替代型号

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