CGA4F4NP02W182J085AA 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等领域。该芯片采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。其封装形式为 TO-263(DPAK),能够有效降低寄生电感并提高系统的整体效率。
该器件的主要特点是优化了导通损耗和开关损耗之间的平衡,从而适合于高频应用环境。同时,其内置的保护功能(如过流保护和过温保护)进一步提升了可靠性。
型号:CGA4F4NP02W182J085AA
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):47A
导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
总功耗(Ptot):140W
结温范围(Tj):-55℃ 至 +175℃
封装:TO-263 (DPAK)
工作频率:高达 1MHz
CGA4F4NP02W182J085AA 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少传导损耗,提升系统效率。
2. 高速开关能力,支持高频应用场合,例如开关电源和 DC-DC 转换器。
3. 采用 TO-263 封装,具有优良的散热性能,能够承受较高的功率负载。
4. 内置多重保护机制,包括过流保护和过温保护,提高了器件在极端条件下的可靠性。
5. 宽泛的工作温度范围,适应各种工业和汽车环境需求。
6. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代电子产品设计要求。
这款功率 MOSFET 主要应用于以下领域:
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器中的功率级控制。
2. 各种类型的 DC-DC 转换器,包括降压、升压和反激式拓扑结构。
3. 电机驱动电路,适用于步进电机、无刷直流电机等。
4. 汽车电子系统,例如车载充电器和 LED 照明驱动。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 高效电池管理系统 (BMS),用于锂电池组的充放电控制。
CGA4F4NP02W182J085AB, CGA4F4NP02W182J085AC