CGA4C2NP01H332J060AA 是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为高效率开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适合用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动等场景。
这款MOSFET属于N沟道增强型器件,能够有效降低系统功耗并提升整体性能。其封装形式紧凑,便于集成到各种电子设备中。
最大漏源电压:100V
最大连续漏极电流:8A
导通电阻:1.5mΩ
栅极电荷:38nC
开关时间:开启延迟时间:9ns,上升时间:6ns,关断延迟时间:28ns,下降时间:7ns
工作结温范围:-55℃至+175℃
封装类型:TO-263
CGA4C2NP01H332J060AA的主要特点是其出色的电气性能和可靠性。它具备极低的导通电阻(Rds(on)),可以显著减少导通损耗,提高系统的整体效率。
此外,该器件的快速开关能力使其非常适合高频操作环境,例如在同步整流和负载切换应用中表现出色。其高耐压能力和宽泛的工作温度范围也确保了在恶劣条件下仍然保持稳定运行。
另外,该MOSFET还具有良好的热稳定性,有助于延长使用寿命,并且其封装设计优化了散热性能。
该型号广泛应用于多种电力电子领域,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS),如AC-DC适配器和充电器。
2. DC-DC转换器,适用于笔记本电脑、平板电脑和其他便携式设备。
3. 电机驱动电路,用于家用电器、工业自动化设备中的电机控制。
4. 负载开关和保护电路,在电池管理系统(BMS)中有重要应用。
5. 各类逆变器和太阳能微逆变器解决方案。
由于其高效能表现,CGA4C2NP01H332J060AA特别适合需要高效率、小尺寸和轻量化设计的应用场景。
CGA4C2NP01H332J060AB, CGA4C2NP01H332J060AC