CGA3EANP02A222J080AC是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为高效率、低损耗的开关应用设计。该芯片采用先进的沟槽式MOSFET制造工艺,能够显著降低导通电阻和开关损耗,从而提高系统的整体性能。
该器件适用于电源管理、电机驱动、负载开关等场景,具有出色的热稳定性和可靠性,同时支持高频率操作,满足现代电子设备对高效能和小型化的需求。
型号:CGA3EANP02A222J080AC
类型:N-Channel MOSFET
额定电压:60V
额定电流:50A
导通电阻(Rds(on)):1.4mΩ
栅极电荷:45nC
最大功耗:160W
工作温度范围:-55℃ to +175℃
封装形式:TO-247
CGA3EANP02A222J080AC具备以下主要特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效减少传导损耗并提升系统效率。
2. 高速开关能力,支持高达500kHz的工作频率。
3. 强大的散热性能,能够承受高结温运行环境。
4. 内置ESD保护功能,增强抗静电能力。
5. 出色的热稳定性和电气稳定性,确保长时间工作的可靠性。
6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
这些特性使其成为高功率密度应用的理想选择,尤其是在需要高效能和可靠性的场合。
该MOSFET广泛应用于多种领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器,包括降压和升压电路。
3. 电机驱动,例如电动车窗、座椅调节、风扇控制等。
4. 负载开关和保护电路。
5. 太阳能逆变器和储能系统。
6. 工业自动化设备及消费类电子产品中的功率控制模块。
由于其强大的性能和灵活性,CGA3EANP02A222J080AC在各类高要求的应用中表现出色。
CGA3EANP02A222K080AC, IRFZ44N, FDP5500