时间：2025/7/12 10:51:42
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CGA3E3NP02E182J080AA 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，专为高效率、高频开关应用而设计。它采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著提高系统的能效并减少发热。该芯片适用于各种工业及消费类电子产品中的电源管理模块，例如适配器、充电器以及 DC-DC 转换器等。
型号：CGA3E3NP02E182J080AA
类型：N沟道 MOSFET
封装形式：TO-263
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：45A
导通电阻(Rds(on))：2.5mΩ
栅极电荷(Qg)：90nC
总功耗(Ptot)：170W
工作温度范围：-55℃至+175℃
CGA3E3NP02E182J080AA 具有出色的电气性能，主要特性如下：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 确保在大电流负载下保持高效运行，并降低功率损耗。
2. 快速的开关速度有助于减少开关损耗，尤其适合高频应用场景。
3.功率条件下稳定工作。
4. 宽泛的工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃) 使该器件适用于极端环境下的应用。
5. 内置 ESD 保护功能增强了其抗静电能力，提高了产品的可靠性。
6. 封装形式为 TO-263，具备良好的散热性能，便于系统集成。
这款功率 MOSFET 芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中作为主开关元件。
2. 各种电机驱动控制电路中的功率级组件。
3. 汽车电子设备中的负载切换和电池管理。
4. 工业自动化设备中的电源管理和功率转换模块。
5. 笔记本电脑适配器、手机快充充电器等便携式设备的电源解决方案。
6. 不间断电源 (UPS) 和逆变器中的功率开关组件。
CGA3E3NP02E182K080AA, IRF3205, FDP5500
