时间：2025/6/5 23:52:05
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CGA3E2NP02A220J080AA 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，专为高频开关应用设计。该器件采用先进的沟槽式技术制造，具备低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于 DC-DC 转换器、电源管理模块以及电机驱动等场景。
型号：CGA3E2NP02A220J080AA
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压(VDS)：60V
最大栅源电压(VGS)：±20V
持续漏极电流(ID)：40A
导通电阻(RDS(on))：2mΩ
总栅极电荷(Qg)：75nC
输入电容(Ciss)：2500pF
封装形式：TO-247
CGA3E2NP02A220J080AA 具有出色的热性能和电气性能。
1. 低导通电阻 (RDS(on))，可显著降低功率损耗并提升系统效率。
2. 快速开关速度，支持高频工作环境，减少磁性元件体积。
3. 高电流承载能力，适合大功率应用场合。
4. 强大的抗浪涌能力和鲁棒性，确保在恶劣条件下的可靠性。
5. 封装散热性能优越，有助于长期稳定运行。
这些特性使得该器件非常适合用于高效能电源转换和驱动领域。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器中的高频开关元件。
3. 工业自动化设备中的电机驱动电路。
4. 新能源汽车中的电池管理系统(BMS)和逆变器。
5. 大功率 LED 驱动器和其他需要高效功率控制的应用。
其高效率和稳定性特别适合对能耗敏感或对可靠性要求极高的应用场景。
CGA3E2NP02A220J080AB, IRF2807ZPBF, FDP078N06L
