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CGA3E2NP02A181J080AA 发布时间 时间:2025/5/29 2:48:46 查看 阅读:9

CGA3E2NP02A181J080AA 是一款由 Vishay 生产的高效能功率 MOSFET,采用 TrenchFET 第三代技术制造。该器件专为高效率、低导通电阻的应用场景设计,能够在高频开关和大电流负载下提供卓越性能。其封装形式为 PowerPAK? 8x8,能够有效降低热阻并提高散热性能。

参数

型号:CGA3E2NP02A181J080AA
  品牌:Vishay
  类型:N沟道 MOSFET
  Vds(漏源极电压):60V
  Rds(on)(导通电阻):1.8mΩ(典型值,Vgs=10V时)
  Id(连续漏极电流):149A
  Qg(栅极电荷):40nC
  Eoss(输出电容能量损耗):75nJ
  Pd(总功耗):205W
  封装:PowerPAK? 8x8

特性

CGA3E2NP02A181J080AA 提供了非常低的导通电阻 Rds(on),这使其在大电流应用中具有极高的效率。TrenchFET 第三代技术显著降低了导通损耗和开关损耗。
  该器件的高 Id 值和低 Qg 值非常适合高频 DC-DC 转换器和同步整流应用。此外,PowerPAK? 8x8 封装提供了出色的热性能,允许更高的功率密度。
  它还具有快速开关能力,适合要求严格的工业电源、电机驱动和电信设备中的功率转换任务。
  由于其优异的电气特性和热管理能力,这款 MOSFET 能够在极端工作条件下保持稳定运行。

应用

CGA3E2NP02A181J080AA 主要应用于以下领域:
  1. 高效 DC-DC 转换器
  2. 同步整流电路
  3. 服务器和通信电源
  4. 工业电机控制
  5. 太阳能逆变器
  6. 电动车辆(EV/HEV)中的电池管理系统
  7. 开关模式电源(SMPS)
  这些应用场景均需要高效率、低功耗以及可靠的功率管理,而这正是 CGA3E2NP02A181J080AA 的强项。

替代型号

CGA3E2NP02A181J080GA, IRFHG30N06L, FDP16N06L

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CGA3E2NP02A181J080AA参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1 : ¥1.51000剪切带(CT)4,000 : ¥0.24687卷带(TR)
  • 系列CGA
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态不适用于新设计
  • 电容180 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性高温
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.035"(0.90mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-