时间：2025/5/29 2:48:46
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CGA3E2NP02A181J080AA 是一款由 Vishay 生产的高效能功率 MOSFET，采用 TrenchFET 第三代技术制造。该器件专为高效率、低导通电阻的应用场景设计，能够在高频开关和大电流负载下提供卓越性能。其封装形式为 PowerPAK? 8x8，能够有效降低热阻并提高散热性能。
型号：CGA3E2NP02A181J080AA
品牌：Vishay
类型：N沟道 MOSFET
Vds（漏源极电压）：60V
Rds(on)（导通电阻）：1.8mΩ（典型值，Vgs=10V时）
Id（连续漏极电流）：149A
Qg（栅极电荷）：40nC
Eoss（输出电容能量损耗）：75nJ
Pd（总功耗）：205W
封装：PowerPAK? 8x8
CGA3E2NP02A181J080AA 提供了非常低的导通电阻 Rds(on)，这使其在大电流应用中具有极高的效率。TrenchFET 第三代技术显著降低了导通损耗和开关损耗。
该器件的高 Id 值和低 Qg 值非常适合高频 DC-DC 转换器和同步整流应用。此外，PowerPAK? 8x8 封装提供了出色的热性能，允许更高的功率密度。
它还具有快速开关能力，适合要求严格的工业电源、电机驱动和电信设备中的功率转换任务。
由于其优异的电气特性和热管理能力，这款 MOSFET 能够在极端工作条件下保持稳定运行。
CGA3E2NP02A181J080AA 主要应用于以下领域：
1. 高效 DC-DC 转换器
2. 同步整流电路
3. 服务器和通信电源
4. 工业电机控制
5. 太阳能逆变器
6. 电动车辆（EV/HEV）中的电池管理系统
7. 开关模式电源（SMPS）
这些应用场景均需要高效率、低功耗以及可靠的功率管理，而这正是 CGA3E2NP02A181J080AA 的强项。
CGA3E2NP02A181J080GA, IRFHG30N06L, FDP16N06L
