时间：2025/6/22 9:54:29
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CGA3E2NP02A120J080AA 是一款高性能的氮化镓（GaN）功率晶体管，采用先进的增强型场效应晶体管（eGaN）技术。该器件专为高频开关应用设计，能够显著提高效率并减少系统尺寸。
这款 GaN 器件具有低导通电阻和快速开关特性，使其非常适合于 DC-DC 转换器、无线充电设备、电机驱动器以及其他高效率电力电子系统中。
型号：CGA3E2NP02A120J080AA
类型：增强型氮化镓（GaN）功率晶体管
漏源电压（Vds）：600 V
连续漏极电流（Id）：120 A
导通电阻（Rds(on)）：12 mΩ
栅极电荷（Qg）：75 nC
输入电容（Ciss）：2240 pF
输出电容（Coss）：145 pF
反向传输电容（Crss）：100 pF
最大工作结温（Tjmax）：175 °C
封装形式：TO-247-4L
CGA3E2NP02A120J080AA 具备以下主要特性：
1. 高击穿电压（600V），适合高压应用场景。
2. 极低的导通电阻（12mΩ），可有效降低传导损耗。
3. 快速开关速度，支持高达数兆赫兹的工作频率。
4. 减少了传统硅基 MOSFET 的寄生效应，优化了动态性能。
5. 提供出色的热稳定性和可靠性，确保在高温环境下的长期使用。
6. 紧凑的 TO-247-4L 封装结构简化了 PCB 布局并增强了散热性能。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 高频 DC-DC 转换器及电源模块。
2. 工业级逆变器与 UPS 系统。
3. 电动车（EV）车载充电器和牵引逆变器。
4. 服务器及通信设备中的高效电源管理。
5. 消费类电子产品如笔记本电脑适配器和快充头。
6. 太阳能微逆变器和其他新能源转换装置。
其高效率和小尺寸的特点使 CGA3E2NP02A120J080AA 成为现代电力电子设计的理想选择。
CGA3E2NP01A100K060AB, CGA3E2NP02A150J100AC
