时间：2025/6/22 4:58:16
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CGA3E2NP01H820J080AA是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等场景。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高效率的特点，适合要求严格能效的应用场合。
此型号属于增强型N沟道MOSFET类别，通过优化的结构设计实现较低的开关损耗和较高的电流处理能力。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：80A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：95nC
输入电容：3060pF
总电荷：235nC
功耗：240W
工作温度范围：-55℃至175℃
CGA3E2NP01H820J080AA具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效降低传导损耗，提升整体系统效率。
2. 高额定电流能力，确保在大电流应用中保持稳定性能。
3. 快速开关速度，减少开关损耗，适应高频操作需求。
4. 优异的热稳定性，在高温环境下仍能维持高效运行。
5. 紧凑型封装设计，节省PCB空间并简化散热管理。
6. 符合RoHS标准，支持环保要求。
这款功率MOSFET适用于多种工业和消费类电子设备：
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关元件。
2. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统(BMS)。
3. 工业自动化设备中的电机控制模块。
4. 太阳能逆变器和储能系统的功率转换电路。
5. 高效DC-DC转换器的核心组件。
6. 各种负载切换和保护电路。
其卓越的电气性能和可靠性使得它成为许多高性能应用的理想选择。
CGA3E2NP01H820J080AB, CGA3E2NP01H820J080AC
