时间：2025/6/28 12:43:18
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CGA3E2NP01H221JT0Y0N 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等领域。该芯片采用先进的制造工艺，在保证高效率的同时，具备较低的导通电阻和快速的开关速度，适合要求高功率密度的应用场景。
该器件具有出色的热性能和电气性能，能够承受较高的工作电压，并且在高频开关条件下保持较低的损耗。
类型：MOSFET
封装：TO-263
最大漏源电压(Vds)：650V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：14A
导通电阻(Rds(on))：180mΩ
输入电容(Ciss)：2250pF
栅极电荷(Qg)：75nC
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
1. 高电压耐受能力，适用于高压应用环境。
2. 极低的导通电阻，有助于降低导通损耗并提高系统效率。
3. 快速的开关速度，减少开关损耗并支持高频操作。
4. 强大的抗雪崩能力，增强器件在异常条件下的可靠性。
5. 优化的热性能设计，确保长时间稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保友好。
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. DC-DC 转换器中的同步整流或开关元件。
4. 各类工业设备中的功率转换模块。
5. 电池管理系统(BMS)中的保护开关。
6. LED 驱动器中的高效功率管理组件。
IRF640N
FDP15N65S
STP17NF65
