时间：2025/7/1 6:23:26
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CGA3E2NP01H220JT0Y0N 是一款高性能的功率 MOSFET，专为高效率开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于电源管理、电机驱动以及 DC-DC 转换等领域。
其封装形式为 TO-263（D2PAK），适合表面贴装技术（SMT）使用，能够提供卓越的散热性能和电气稳定性。
型号：CGA3E2NP01H220JT0Y0N
类型：N-Channel MOSFET
Vds（漏源极耐压）：60V
Rds(on)（导通电阻）：2.8mΩ（典型值，@Vgs=10V）
Id（持续漏极电流）：95A
Qg（栅极电荷）：42nC
EAS（雪崩能量）：1.3J
f（工作频率范围）：最高支持至 1MHz
封装：TO-263 (D2PAK)
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
CGA3E2NP01H220JT0Y0N 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效降低导通损耗并提升整体系统效率。
2. 快速开关速度，减少开关损耗，尤其适用于高频应用。
3. 高雪崩能量能力，增强器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 大电流承载能力，满足大功率应用场景需求。
5. 宽工作温度范围，适应各种严苛环境下的稳定运行。
6. 表面贴装封装设计简化了 PCB 布局，并提升了散热性能。
这款 MOSFET 广泛用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器和主开关管。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. DC-DC 转换器，包括降压、升压及反激式拓扑结构。
4. 汽车电子系统中的负载切换和保护功能。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 太阳能逆变器和其他能源转换系统的功率级元件。
CGA3E2NP01H220JT0Y0M, IRFZ44N, FDP5500
