时间：2025/6/16 21:19:55
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CGA3E2NP01H050C080AA 是一款高性能的氮化镓 (GaN) 功率晶体管，基于增强型 GaN 技术制造。该器件专为高频开关应用设计，能够提供高效率和快速开关性能，适用于电源管理、DC-DC 转换器、无线充电模块以及其他高频功率转换系统。其封装形式采用紧凑的表面贴装技术 (SMT)，便于自动化生产和优化电路板空间利用。
该型号属于某知名厂商的 GaN 系列产品，具有低导通电阻和高击穿电压特性，同时具备良好的热稳定性和可靠性。
类型：增强型场效应晶体管 (eGaN FET)
导通电阻 (Rds(on))：50 mΩ
漏源极击穿电压 (BVDSS)：600 V
栅极阈值电压 (Vgs(th))：1.5 V~3.0 V
最大漏极电流 (Id)：80 A
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：SMD
CGA3E2NP01H050C080AA 的主要特点是其采用了先进的氮化镓技术，相比传统硅基 MOSFET 提供了更高的效率和更快的开关速度。具体特性包括：
- 低导通电阻 (Rds(on)) 可降低传导损耗，提高整体系统效率。
- 高频率操作能力支持小型化设计，尤其适合高频 DC-DC 转换器和无线充电应用。
- 内置保护功能，如过温关断和短路保护，提升了产品的可靠性和安全性。
- 封装紧凑且易于焊接，适合大批量自动化生产环境。
- 具备优秀的热性能，确保在高温环境下也能稳定运行。
这款 GaN 功率晶体管广泛应用于以下领域：
- 高效 AC-DC 和 DC-DC 电源转换器
- 工业级电机驱动控制
- 数据中心服务器电源模块
- 汽车电子系统中的负载切换与电源管理
- 快速充电适配器及无线充电设备
- 高频逆变器和 UPS 系统
CGA3E2NP01H040C060AB, CGA3D2MP01H060C090AC
