时间：2025/6/16 11:33:23
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CGA3E2C0G1H330J080AD 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点。该芯片广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器等领域。
这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件，适用于需要高效率和低损耗的应用场景。其封装形式和电气性能经过优化，能够承受较高的电流和电压。
类型：N沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压：60V
最大连续漏极电流：30A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：75nC
总电容：220pF
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
CGA3E2C0G1H330J080AD 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低导通损耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力，适合高频应用环境。
3. 高雪崩能量能力，提高了器件在异常情况下的耐用性。
4. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
5. 优化的热性能设计，确保在高负载条件下的稳定性。
6. 小型化封装设计，便于集成到紧凑的电路板中。
该芯片的应用领域非常广泛，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源（SMPS）和 AC-DC 转换器中的主开关管。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 通信电源和服务器电源中的同步整流。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换模块。
6. 各种保护电路中的过流保护和短路保护组件。
CGA3E2C0G1H300J080AD, CGA3E2C0G1H350J080AD
