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CGA3E2C0G1H221J080AD 发布时间 时间:2025/5/30 18:17:35 查看 阅读:10

CGA3E2C0G1H221J080AD 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等领域。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻、高效率和出色的热性能。其封装形式为 TO-263(D2PAK),适合表面贴装技术(SMT)应用,广泛用于工业控制、消费电子和汽车电子领域。

参数

型号:CGA3E2C0G1H221J080AD
  类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vdss):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):50A
  导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ(典型值,@Vgs=10V)
  总功耗(Ptot):170W
  结温范围(Tj):-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-263(D2PAK)

特性

CGA3E2C0G1H221J080AD 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 使得其在高电流应用中具有较高的效率。
  2. 高速开关能力,能够有效降低开关损耗。
  3. 具备出色的热稳定性,即使在极端温度条件下也能保持稳定的性能。
  4. 内置防静电保护电路,提高了器件的可靠性和耐用性。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且适用于多种国际规范要求。
  6. 表面贴装封装设计使其非常适合现代自动化生产流程,同时节省了印刷电路板的空间。

应用

这款功率 MOSFET 主要用于以下应用场景:
  1. 开关电源中的功率转换和稳压模块。
  2. 电机驱动器中的桥式电路和逆变器设计。
  3. 各类 DC-DC 转换器,例如降压或升压转换器。
  4. 汽车电子系统中的负载切换和电池管理。
  5. 工业控制设备中的继电器替代和高效功率传输。
  6. 消费类电子产品中的充电电路和保护电路设计。

替代型号

CGA3E2C0G1H221J080AE, IRF540N, FDP55N06L

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CGA3E2C0G1H221J080AD参数

  • 现有数量63现货
  • 价格1 : ¥1.59000剪切带(CT)4,000 : ¥0.28906卷带(TR)
  • 系列CGA
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 电容220 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性环氧树脂封装
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC,环氧
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.037"(0.95mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-