时间：2025/5/30 18:17:35
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CGA3E2C0G1H221J080AD 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等领域。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻、高效率和出色的热性能。其封装形式为 TO-263（D2PAK），适合表面贴装技术（SMT）应用，广泛用于工业控制、消费电子和汽车电子领域。
型号：CGA3E2C0G1H221J080AD
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vdss)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：50A
导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ（典型值，@Vgs=10V）
总功耗(Ptot)：170W
结温范围(Tj)：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263(D2PAK)
CGA3E2C0G1H221J080AD 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 使得其在高电流应用中具有较高的效率。
2. 高速开关能力，能够有效降低开关损耗。
3. 具备出色的热稳定性，即使在极端温度条件下也能保持稳定的性能。
4. 内置防静电保护电路，提高了器件的可靠性和耐用性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适用于多种国际规范要求。
6. 表面贴装封装设计使其非常适合现代自动化生产流程，同时节省了印刷电路板的空间。
这款功率 MOSFET 主要用于以下应用场景：
1. 开关电源中的功率转换和稳压模块。
2. 电机驱动器中的桥式电路和逆变器设计。
3. 各类 DC-DC 转换器，例如降压或升压转换器。
4. 汽车电子系统中的负载切换和电池管理。
5. 工业控制设备中的继电器替代和高效功率传输。
6. 消费类电子产品中的充电电路和保护电路设计。
CGA3E2C0G1H221J080AE, IRF540N, FDP55N06L
