CGA3E2C0G1H080DT0Y0N是一款由TDK公司生产的陶瓷电容器,属于爱普科斯(EPCOS)系列。该型号采用多层陶瓷工艺制造,具有高稳定性和低ESR特性,广泛应用于滤波、耦合和旁路等电路中。这款电容器具有出色的温度特性和频率特性,能够在各种严苛环境下保持稳定的性能。
容量:0.1μF
额定电压:50V
耐压范围:直流63V
尺寸:0805英寸
电介质类型:X7R
容差:±10%
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
CGA3E2C0G1H080DT0Y0N采用了X7R电介质,这种材料能够在宽泛的温度范围内保持电容量的稳定性,同时具备良好的频率响应能力。它的0805封装设计使其适合用于需要较高功率密度的应用场合。
该电容器具有较低的等效串联电阻(ESR),从而能够有效地抑制高频噪声。此外,其多层陶瓷结构提供了更高的机械强度,确保在振动和冲击条件下仍能正常工作。
由于其小型化设计和高性能特点,这款电容器非常适合用在消费电子、通信设备以及工业控制领域中的电源管理模块。
该型号的电容器主要应用于滤波电路,可以有效去除电源中的高频杂波,为敏感的模拟或数字电路提供纯净的供电环境。
它也常被用作去耦电容,在集成电路附近放置以减少电源波动对芯片性能的影响。
此外,CGA3E2C0G1H080DT0Y0N还可用于射频电路中的信号耦合和隔离,帮助实现不同级之间的阻抗匹配。
在汽车电子系统中,这款电容器可用于处理瞬态电压并保护关键组件免受损害。
CGA3E2C0G1H104KT0Y
CGA3E2C0G1H104J
B32371C104K901