时间：2025/6/20 11:25:51
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CGA3E2C0G1H010CT0Y0N 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的高性能 MOSFET 功率晶体管。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，非常适合用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率转换的应用场景。
该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET，能够承受较高的漏源电压，并支持大电流操作。其封装形式为 PQFN 封装，具备良好的散热性能，适合紧凑型设计。
类型：MOSFET
沟道类型：N 沟道
最大漏源电压 VDS：60V
最大栅源电压 VGS：±20V
最大漏极电流 ID：40A
导通电阻 RDS(on)：1.5mΩ
栅极电荷 Qg：38nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：PQFN
CGA3E2C0G1H010CT0Y0N 的主要特点是其超低的导通电阻 (RDS(on)) 和优化的栅极电荷 (Qg)，使得该器件在高频应用中表现出卓越的效率和较低的功耗。
此外，它还具有出色的热稳定性，能够在高温环境下长时间稳定运行。
该器件采用了 PQFN 封装技术，这种封装不仅体积小巧，还拥有较低的寄生电感，有助于减少电磁干扰 (EMI) 并提升系统性能。
其高耐压能力（60V）和大电流承载能力（40A）使其非常适合工业级和汽车级应用环境。
这款 MOSFET 广泛应用于各种功率转换和控制场合，包括但不限于：
- 开关电源 (SMPS)
- 电机驱动与控制
- DC-DC 转换器
- 电池管理系统 (BMS)
- 工业自动化设备
- 汽车电子系统中的负载切换
- 充电器和适配器
由于其优异的电气性能和热性能，该器件特别适用于需要高效率和高可靠性的场景。
NTMFS4935N
IRLB8728
FDP5500
AO4402
