时间：2025/5/29 2:48:34
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CGA3E1C0G2A562J080AE 是一款高性能的汽车级功率 MOSFET，主要用于直流电机驱动、负载开关和电源管理等应用。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻、高效率和卓越的热性能。
这款功率 MOSFET 属于 N 沟道类型，采用符合行业标准的 LFPAK 封装形式，能够满足汽车电子系统对可靠性和小型化的需求。
型号：CGA3E1C0G2A562J080AE
封装：LFPAK56
VDS（漏源电压）：40V
RDS(on)（导通电阻，典型值）：1.5mΩ
IDS（连续漏极电流）：197A
栅极电荷：28nC
VGS(th)（栅极阈值电压）：2.1V
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
CGA3E1C0G2A562J080AE 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (RDS(on))，有助于提高系统的效率并降低功耗。
2. 高额定电流能力，适用于大功率应用。
3. 符合 AEC-Q101 标准，确保在汽车环境下的高可靠性。
4. 超紧凑型封装设计，节省 PCB 空间。
5. 支持高频开关操作，适合 DC-DC 转换器和其他高频应用。
6. 内部集成保护功能，包括过流保护和短路保护，提升系统安全性。
7. 提供优异的热性能，能够在高温环境下稳定运行。
该功率 MOSFET 广泛应用于汽车电子领域中的多种场景：
1. 直流电机驱动，例如电动车窗、座椅调节和雨刷系统。
2. 负载开关，用于控制各种车载设备的供电。
3. 电源管理系统，包括 DC-DC 转换器和电池管理系统。
4. 汽车照明系统，如 LED 驱动电路。
5. 动力总成相关应用，例如混合动力汽车的电动机控制器。
由于其高可靠性和高效性能，CGA3E1C0G2A562J080AE 成为许多汽车制造商的理想选择。
CGA3E1C0G2A562J080AE-A, CGA3E1C0G2A562J080AE-B
