时间：2025/7/3 22:09:49
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CGA2B2NP01H221J050BA 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等领域。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提高系统的效率和可靠性。
该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET 类别，主要面向工业及汽车电子应用。其设计注重在高温环境下的稳定性和耐用性，同时提供紧凑的封装形式以适应现代电子设备对小型化的需求。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：40A
导通电阻（典型值）：1.5mΩ
栅极电荷：38nC
开关时间：50ns
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
封装形式：TO-247
CGA2B2NP01H221J050BA 的主要特性包括超低的导通电阻，这有助于减少传导损耗并提升整体效率。此外，该器件拥有快速的开关速度，可支持高频操作，并且内置了过温保护和过流限制功能以增强系统的安全性。
它还具有出色的热性能，能够在极端温度条件下保持稳定运行。通过优化的芯片布局与封装设计，进一步降低了寄生电感的影响，从而提高了电磁兼容性表现。
在实际使用中，这款功率 MOSFET 能够承受较大的电流负载，同时具备良好的动态响应能力，适用于需要高可靠性的应用场景。
该元器件适用于多种电力电子转换场合，例如不间断电源(UPS)系统中的功率级控制、电动汽车牵引逆变器的设计以及太阳能微逆变器的核心组件等。
此外，它也适合用作大功率音频放大器中的开关元件或者作为工业自动化设备里的负载切换开关。总之，任何需要高效能量传输和精确电流管理的地方都可以考虑使用 CGA2B2NP01H221J050BA。
CGA2B2NP01H221K050BA
CGA2B2NP01H221L050BA
