时间：2025/7/10 11:11:58
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CGA2B2C0G1H820J050BA 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。该芯片采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特性，能够满足高效率和高可靠性应用的需求。
该器件为 N 沟道增强型场效应晶体管，适用于高频开关电路和大电流负载驱动场景。通过优化的封装设计，该芯片可有效降低寄生电感和电容的影响，从而提高整体系统性能。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：40A
导通电阻（典型值）：1.5mΩ
栅极电荷：45nC
输入电容：1200pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
CGA2B2C0G1H820J050BA 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，可以显著减少功率损耗，提升系统效率。
2. 高速开关性能，支持高频应用场景，例如开关电源和 DC-DC 转换器。
3. 出色的热稳定性，能够在极端温度条件下保持稳定的性能输出。
4. 内置保护功能，如过流保护和过温关断，增强了产品的可靠性和安全性。
5. 封装设计紧凑且具备良好的散热性能，适合高功率密度的应用环境。
这款功率 MOSFET 可用于多种电子设备中，具体包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）设计中的主开关管或同步整流管。
2. 工业电机驱动和逆变器控制中的功率级元件。
3. 新能源汽车的电池管理系统（BMS）和车载充电器。
4. 大功率 LED 照明驱动电路。
5. 各种消费类电子产品中的快速充电适配器和电源模块。
CGA2B2C0G1H820J050BB, CGA2B2C0G1H820J050BC
