时间：2025/5/24 16:19:16
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CGA2B2C0G1H6R8D050BA 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载开关等场景。该芯片采用先进的制造工艺，具备高效率、低导通电阻和快速开关特性。其设计旨在优化功耗并提高系统可靠性。
型号：CGA2B2C0G1H6R8D050BA
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：40A
导通电阻(Rds(on))：4mΩ
总栅极电荷(Qg)：75nC
输入电容(Ciss)：3250pF
工作温度范围：-55℃至+175℃
CGA2B2C0G1H6R8D050BA 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可有效降低传导损耗。
2. 快速的开关速度，能够支持高频应用。
3. 高雪崩能量能力，增强器件在异常条件下的耐受力。
4. 强大的散热性能，确保在高功率环境下稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
6. 小型封装设计，节省 PCB 空间。
这款功率 MOSFET 主要应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动电路，用于控制直流无刷电机或步进电机。
3. 汽车电子系统，例如电动助力转向(EPS)和刹车系统。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 电池管理系统(BMS)，用于保护锂电池组免受过充或过放的影响。
6. LED 驱动器，提供高效稳定的电流输出。
CGA2B2C0G1H6R8D050BB, CGA2B2C0G1H6R8D050BC, IRF540N, FQP19N60
