时间：2025/5/28 19:30:30
阅读：10
CGA2B2C0G1H681J050BA 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，专为高效率开关应用设计。该器件采用先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，适用于电源管理、电机驱动以及 DC-DC 转换等场景。其封装形式紧凑，能够有效降低系统热阻并提高整体性能。
类型：功率 MOSFET
耐压：60V
连续漏极电流：140A
导通电阻：0.75mΩ
栅极电荷：120nC
开关速度：超快
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装：D2PAK（TO-263）
CGA2B2C0G1H681J050BA 的主要特点是低导通电阻 (Rds(on)) 和优化的栅极电荷 (Qg)，从而显著减少导通损耗和开关损耗。
此外，它还具有以下优势：
1. 高效的散热性能，适合高功率密度应用。
2. 强大的过流能力和短路保护机制。
3. 快速开关特性使其非常适合高频工作环境。
4. 紧凑型封装有助于简化 PCB 布局并节省空间。
5. 宽广的工作温度范围确保在极端条件下仍能稳定运行。
这款功率 MOSFET 主要应用于需要高效能源转换的领域，例如：
1. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的电机控制器。
2. 工业级 DC-DC 转换器及开关模式电源 (SMPS)。
3. 太阳能逆变器中的功率调节模块。
4. 高端音频放大器和负载切换电路。
5. 大功率 LED 驱动和 UPS 系统。
由于其出色的性能表现，CGA2B2C0G1H681J050BA 成为众多工程师在设计大电流、高效率系统的首选元件。
CGA2B2C0G1H6>CGA2B2C0G1H681J050BC
IRF7739
FDP15N60E
