时间：2025/6/28 12:31:01
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CGA2B2C0G1H1R5C050BD 是一款高性能的工业级功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该芯片采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造，具有低导通电阻、高电流承载能力和快速开关速度等特性。其封装形式为 TO-263，能够有效提升散热性能，适合在高温环境下稳定运行。
这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件，通过栅极电压控制漏极和源极之间的导通状态，适用于多种需要高效功率转换的应用场景。
型号：CGA2B2C0G1H1R5C050BD
类型：N 沟道功率 MOSFET
封装：TO-263
最大漏极电流（ID）：50A
击穿电压（VDS）：100V
栅极阈值电压（VGS(th)）：2V~4V
导通电阻（RDS(on)）：4mΩ（典型值，在 VGS=10V 时）
最大功耗：175W
工作温度范围：-55℃~+175℃
CGA2B2C0G1H1R5C050BD 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗，提高整体效率。
2. 高速开关能力，能够支持高频应用场合。
3. 强大的电流承载能力，适合大功率设备。
4. 具备出色的热稳定性，能够在极端温度条件下正常工作。
5. 内置 ESD 保护电路，提高了器件的抗静电能力。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
这些特性使得 CGA2B2C0G1H1R5C050BD 成为许多高要求工业应用的理想选择。
该芯片的主要应用场景包括：
1. 开关模式电源（SMPS），如适配器、充电器等。
2. 工业电机驱动与控制，例如伺服电机和步进电机。
3. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
4. 电动汽车和混合动力汽车的动力系统。
5. 各种负载切换和保护电路。
由于其卓越的性能表现，CGA2B2C0G1H1R5C050BD 在多个行业领域中得到了广泛应用。
IRFZ44N
FDP5800
STP50NF06L
